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CMPDM7002AHC TR /MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdg 20Vgs 350mW
CMPDM7002AHC TR的规格信息
CMPDM7002AHC TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:2.3 nC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CMPDM7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:CMPDM7002AHC PBFREE TR

单位重量:8 mg

供应商CMPDM7002AHC TR
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CMPDM7002AHC TRCentral SemiconductorMOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdg 20Vgs 350mW1:¥4.6895
10:¥3.9663
100:¥2.4973
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5933